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中芯国际公开的14nm芯片中国大陆最佳的芯片代工厂是中芯国际

中芯国际公开的14nm芯片。中国大陆最佳的芯片代工厂是中芯国际，目前在全球晶圆代工厂中排名为第五名，落后于台积电、三星、格芯、联电，份额约为5.6%。而在技术上，2019年时中芯国际就实现了14nm，这个工艺是公开的。后来到现在这4年时间，就没有再公开过工艺，只有传的沸沸扬扬的N+1、N+2。至于这N+1、N+2究竟是什么东西，那就只有中芯国际自己清楚了。今天给大家说一说中芯国际公开的这14nm工艺，以及不曾公开的N+1、N+2工艺，究竟是些什么样的技术？·先说14nm工艺。这个14nm的工艺与三星的工艺是差不多的，采用的是FinFET晶体管技术，也是曾经主导三星14nmFinFET技术的梁孟松加盟中芯后推出来的。按照之前公开的参数，其晶体管密度是30MTr/mm2，也就是每平方毫米中晶体管是3000万个。而三星的14nmFinFET工艺，其晶体管密度是每平方毫米28008万个；而三星的14纳米非法工艺，其晶体管密度是3250万个每平方毫米。说明中芯国际的14nm工艺，与台积电的16nm、三星的14nm是处于同一水平的。·接着说N+1，这个之前有一些说法，但后面没人提了，N+1是基于14nm的FinFET改进而来。因为14nm开始芯片工艺，其实是等效法。什么是等效法？即工艺不一定非得进步。如果通过其它方法让性能提升、或功耗降低，或晶体管密度提升达到下一代的技术，就可以认为是下一代技术。举个例子，我原本为14纳米的工艺，接下来我研发出新一代技术，其实工艺没变，但性能提升了30%，或功耗降低了30%，或晶体管密度提高了30%。我这还是14纳米工艺，肯定不是了，可以说是10纳米了。依此类推，这就是等效法。N+1其实是等效法，与14nm工艺相比，性能提升20%，功耗降低57%。逻辑部分面积减小63%。再基于14nm晶体管密度是30MTr/mm2，可以算出来N+1是81MTr/mm2。台积电的N7其晶体管密度是91.2MTr/mm2。很明显，我们可以认为N+1基本等效于台积电的第一代7nm工艺。而N+2与14nm工艺相比性能提升35%，功耗降低50%，逻辑面积减小70%。如果直接算，密度正好达到100MTr/mm2。而台积电第二代7nm工艺也就是N7LPP晶体管密度是96.5MTr/mm2。台积电的N6晶体管密度是107.6MTr/mm2，可见N+2相当于N7LPP也就是台积电的第二代7nm工艺。不过前面也提到过中芯国际只公开了14nm工艺，而N+1、N+2没有公开过究竟是什么工艺谁也不清楚，只能通过晶体管密度来看它等效于什么工艺了。至于我的说法或判断就见仁见智吧。但有一点可以肯定，那就是低调发展、闷声发财才是当前我们要做的事，不必高调宣传，只会害人害己。